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BSZ110N06NS3 G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BSZ110N06NS3 G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 23µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 30V
功率_最大:50W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝:帶卷 (TR)

BSZ110N06NS3 G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 23µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 30V
功率_最大:50W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝:剪切帶 (CT)

BSZ110N06NS3 G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:20A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 23µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 30V
功率_最大:50W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商設備封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝:Digi-Reel®

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